最新消息10 月 12 日消息 10 月 12 日，三星对外宣布已开始量产基于极紫外（EUV）光技术的 14 纳米 DRAM。

继去年 3 月出货首款 EUV DRAM 后，现阶段将 EUV 的层数增加至五层，将会为 DDR5 提供更优质的解决方案。

三星电子高级副总裁兼 DRAM 产品与技术负责人 Jooyoung Lee 表示:“通过开拓关键的图案化创新技术，我们在近三年的时间里一直引领着 DRAM 市场。如今，三星正在通过多层 EUV 建立起另一个技术的里程碑，该技术实现了 14 纳米的极致化 —— 这是传统氟化氩 (ArF) 工艺无法实现的壮举。在此基础上，我们将继续为 5G、AI 和虚拟世界中需要更高性能和更大容量的数据驱动计算，提供最具差异化的内存解决方案。”

三星通过在 14 纳米 DRAM 中添加五个 EUV 层，实现了超高的比特密度，同时将整体晶圆的生产率提高了约 20%。此外与上一代 DRAM 相比，14 纳米工艺有助于降低近 20% 的功耗。

根据最新 DDR5 的标准，三星的 14 纳米 DRAM 可带来 的超高速，是前代 DDR4 的 最高速度的两倍多。

最新消息了解到，同时三星计划扩展其 14 纳米 DDR5 的产品组合，用来支持数据中心、超级计算机和企业服务器应用。此外，三星预计将其 14 纳米 DRAM 芯片密度增加到 24Gb，以更好地满足全球 IT 系统快速增长的数据需求。